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DMN2009LSS-13
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Diodes公司完整型號:DMN2009LSS-13

制造廠家名稱:Diodes Incorporated

描述:MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC

系列:-

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):20V

電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):12A(Ta)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):8 毫歐 @ 12A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):58.3nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):2555pF @ 10V

功率 - 最大值:2W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

供應商器件封裝:8-SOP


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