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IRF640N
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IR公司完整型號:IRF640N

制造廠家名稱:International Rectifier

描述:MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB

系列:HEXFET

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:標準

漏源極電壓 (Vdss):200V

電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):18A(Tc)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):150 毫歐 @ 11A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):67nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1160pF @ 25V

功率 - 最大值:150W

安裝類型:通孔

封裝/外殼:TO-220-3

供應商器件封裝:TO-220AB


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