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IRF6619TR1PBF
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IR公司完整型號:IRF6619TR1PBF

制造廠家名稱:International Rectifier

描述:MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET

系列:HEXFET

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):20V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):30A(Ta),150A(Tc)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):2.2 毫歐 @ 30A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.45V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):57nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):5040pF @ 10V

功率 - 最大值:2.8W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:DirectFET 等容 MX

供應(yīng)商器件封裝:DIRECTFET MX


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