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IRF6665TR1PBF
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IR公司完整型號(hào):IRF6665TR1PBF

制造廠家名稱:International Rectifier

描述:MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET

系列:HEXFET

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss):100V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):4.2A(Ta),19A(Tc)

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):62 毫歐 @ 5A,10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):13nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):530pF @ 25V

功率 - 最大值:2.2W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:DirectFET 等容 SH

供應(yīng)商器件封裝:DIRECTFET SH


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