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IRFH5110TR2PBF
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IR公司完整型號:IRFH5110TR2PBF

制造廠家名稱:International Rectifier

描述:MOSFET N-CH 100V 5X6 PQFN

系列:HEXFET

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):100V

電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):11A(Ta),63A(Tc)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):12.4 毫歐 @ 37A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 100μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):72nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):3152pF @ 25V

功率 - 最大值:3.6W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:8-PowerVQFN

供應商器件封裝:PQFN(5x6)


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