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IRFHM8363TRPBF
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IR公司完整型號(hào):IRFHM8363TRPBF

制造廠家名稱:International Rectifier

描述:MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN

系列:HEXFET

FET 類型:2 個(gè) N 溝道(雙)

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):30V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):11A

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):14.9 毫歐 @ 10A,10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.35V @ 25μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):15nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):1165pF @ 10V

功率 - 最大值:2.7W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:8-PowerVDFN

供應(yīng)商器件封裝:8-PQFN(3.3x3.3), Power33


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