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IRFSL59N10D
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IR公司完整型號:IRFSL59N10D

制造廠家名稱:International Rectifier

描述:MOSFET N-CH 100V 59A TO-262

系列:HEXFET

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss):100V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):59A(Tc)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):25 毫歐 @ 35.4A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5.5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):114nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):2450pF @ 25V

功率 - 最大值:3.8W

安裝類型:通孔

封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA

供應(yīng)商器件封裝:TO-262


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