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SI4435DY
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IR公司完整型號(hào):SI4435DY

制造廠家名稱:International Rectifier

描述:MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

系列:HEXFET

FET 類(lèi)型:MOSFET P 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門(mén)

漏源極電壓 (Vdss):30V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):8A(Tc)

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):20 毫歐 @ 8A,10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):60nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):2320pF @ 15V

功率 - 最大值:2.5W

安裝類(lèi)型:表面貼裝

封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

供應(yīng)商器件封裝:8-SO


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