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IXFN20N120
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IXYS公司完整型號(hào):IXFN20N120

制造廠家名稱:IXYS

描述:MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B

系列:HiPerFET?

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss):1200V(1.2kV)

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):20A

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):750 毫歐 @ 500mA,10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 8mA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):160nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):7400pF @ 25V

功率 - 最大值:780W

安裝類型:底座安裝

封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC

供應(yīng)商器件封裝:SOT-227B


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