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IXTY08N100D2
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IXYS公司完整型號(hào):IXTY08N100D2

制造廠家名稱:IXYS

描述:MOSFET N-CH 1000V 800MA DPAK

系列:-

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:耗盡模式

漏源極電壓 (Vdss):1000V(1kV)

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):800mA(Tc)

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):21 歐姆 @ 400mA,0V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):-

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):14.6nC @ 5V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):325pF @ 25V

功率 - 最大值:60W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63

供應(yīng)商器件封裝:TO-252,(D-Pak)


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