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BSC030P03NS3 G
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Infineon英飛凌公司完整型號(hào):BSC030P03NS3 G

制造廠家名稱:Infineon Technologies

描述:MOSFET P-CH 30V 100A TDSON-8

系列:OptiMOS?

FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):30V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):25.4A(Ta),100A(Tc)

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):3 毫歐 @ 50A,10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.9V @ 345μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):186nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):14000pF @ 15V

功率 - 最大值:2.5W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:8-PowerTDFN

供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8(5.15x6.15)


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