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BSC082N10LS G
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Infineon英飛凌公司完整型號:BSC082N10LS G

制造廠家名稱:Infineon Technologies

描述:MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8

系列:OptiMOS?

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):100V

電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):13.8A(Ta),100A(Tc)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):8.2 毫歐 @ 100A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 110μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):104nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):7400pF @ 50V

功率 - 最大值:156W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:8-PowerTDFN

供應商器件封裝:PG-TDSON-8


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