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BSC12DN20NS3 G
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Infineon英飛凌公司完整型號:BSC12DN20NS3 G

制造廠家名稱:Infineon Technologies

描述:MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON

系列:OptiMOS?

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:標準

漏源極電壓 (Vdss):200V

電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):11.3A(Tc)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):125 毫歐 @ 5.7A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 25μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):8.7nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):680pF @ 100V

功率 - 最大值:50W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:8-PowerTDFN

供應商器件封裝:PG-TDSON-8(5.15x6.15)


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