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Infineon英飛凌公司完整型號(hào)：BSC900N20NS3 G

制造廠家名稱：Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TDSON

系列：OptiMOS?

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss)：200V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：15.2A（Tc）

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：90 毫歐 @ 7.6A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 30μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：11.6nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：920pF @ 100V

功率 - 最大值：62.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-PowerTDFN

供應(yīng)商器件封裝：PG-TDSON-8（5.15x6.15）