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BSO083N03MS G
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Infineon英飛凌公司完整型號:BSO083N03MS G

制造廠家名稱:Infineon Technologies

描述:MOSFET N-CH 30V 11A DSO-8

系列:OptiMOS?

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):30V

電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):11A(Ta)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):8.3 毫歐 @ 14A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):27nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):2100pF @ 15V

功率 - 最大值:1.56W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

供應商器件封裝:PG-DSO-8


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