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BSS670S2L H6327
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Infineon英飛凌公司完整型號:BSS670S2L H6327

制造廠家名稱:Infineon Technologies

描述:MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23

系列:OptiMOS?

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):55V

電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):540mA(Ta)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):650 毫歐 @ 270mA,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 2.7μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):2.26nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):75pF @ 25V

功率 - 最大值:360mW

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供應商器件封裝:PG-SOT23-3


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