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Infineon英飛凌公司完整型號(hào):BSZ086P03NS3E G

制造廠家名稱:Infineon Technologies

描述:MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8

系列:OptiMOS?

FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):30V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):13.5A(Ta),40A(Tc)

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):8.6 毫歐 @ 20A,10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.9V @ 105μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):57.5nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):4785pF @ 15V

功率 - 最大值:69W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:8-PowerTDFN

供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8(3.3x3.3)


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