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Infineon英飛凌公司完整型號(hào)：BSZ180P03NS3E G

制造廠家名稱：Infineon Technologies

描述：MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8

系列：OptiMOS?

FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：30V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：9A（Ta），39.5A（Tc）

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：18 毫歐 @ 20A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：1.9V @ 48μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：30nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：2220pF @ 15V

功率 - 最大值：2.1W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-PowerTDFN

供應(yīng)商器件封裝：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）