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IPB020N10N5ATMA1
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Infineon英飛凌公司完整型號: IPB020N10N5ATMA1

制造廠家名稱: Infineon Technologies

功能總體簡述: MOSFET N-CH 100V 120A TO263-7

系列: OptiMOS?

FET 類型: MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能: 標準

漏源極電壓(Vdss): 100V

電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時): 120A(Tc)

不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值): 2 毫歐 @ 100A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值): 3.8V @ 270μA

不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg): 210nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss): 15600pF @ 50V

功率 - 最大值: 375W

安裝類型: 表面貼裝

封裝/外殼: TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB

供應商器件封裝: PG-TO263-3


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