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IPB081N06L3 G
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Infineon英飛凌公司完整型號:IPB081N06L3 G

制造廠家名稱:Infineon Technologies

描述:MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3

系列:OptiMOS?

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):60V

電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):50A(Tc)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):8.1 毫歐 @ 50A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 34μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):29nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):4900pF @ 30V

功率 - 最大值:79W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB

供應商器件封裝:PG-TO263-2


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