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IPB123N10N3 G
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Infineon英飛凌公司完整型號:IPB123N10N3 G

制造廠家名稱:Infineon Technologies

描述:MOSFET N-CH 100V 58A TO263-3

系列:OptiMOS?

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:標準

漏源極電壓 (Vdss):100V

電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):58A(Tc)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):12.3 毫歐 @ 46A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 46μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):35nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):2500pF @ 50V

功率 - 最大值:94W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB

供應商器件封裝:PG-TO263-2


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