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IPB160N04S4H1ATMA1
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Infineon英飛凌公司完整型號: IPB160N04S4H1ATMA1

制造廠家名稱: Infineon Technologies

功能總體簡述: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7

系列: OptiMOS?

FET 類型: MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能: 標準

漏源極電壓(Vdss): 40V

電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時): 160A(Tc)

不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值): 1.6 毫歐 @ 100A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 110μA

不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg): 137nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss): 10920pF @ 25V

功率 - 最大值: 167W

安裝類型: 表面貼裝

封裝/外殼: TO-263-7,D2Pak(6 引線+接片),TO-263CB

供應商器件封裝: PG-TO263-7-3


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