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IPB180N03S4L-H0
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Infineon英飛凌公司完整型號(hào):IPB180N03S4L-H0

制造廠家名稱:Infineon Technologies

描述:MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3

系列:OptiMOS?

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):30V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):180A(Tc)

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):0.95 毫歐 @ 100A,10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 200μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):300nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):23000pF @ 25V

功率 - 最大值:250W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:TO-263-7,D2Pak(6 引線+接片),TO-263CB

供應(yīng)商器件封裝:PG-TO263-7-3


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