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IPB180N04S4-H0
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Infineon英飛凌公司完整型號:IPB180N04S4-H0

制造廠家名稱:Infineon Technologies

描述:MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3

系列:OptiMOS?

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:標準

漏源極電壓 (Vdss):40V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):180A(Tc)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):1.1 毫歐 @ 100A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 180μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):225nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):17940pF @ 25V

功率 - 最大值:250W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:TO-263-7,D2Pak(6 引線+接片),TO-263CB

供應(yīng)商器件封裝:PG-TO263-7-3


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