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IPD65R190C7ATMA1
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Infineon英飛凌公司完整型號: IPD65R190C7ATMA1

制造廠家名稱: Infineon Technologies

功能總體簡述: MOSFET N-CH 650V 13A TO-252

系列: CoolMOS C7

FET 類型: MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能: 標準

漏源極電壓(Vdss): 650V

電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時): 13A(Tc)

不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值): 190 毫歐 @ 5.7A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 290μA

不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg): 23nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss): 1150pF @ 400V

功率 - 最大值: 72W

安裝類型: 表面貼裝

封裝/外殼: TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63

供應商器件封裝: PG-TO252-3


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