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IPD90R1K2C3ATMA1
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Infineon英飛凌公司完整型號: IPD90R1K2C3ATMA1

制造廠家名稱: Infineon Technologies

功能總體簡述: MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252

系列: CoolMOS?

FET 類型: MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能: 標準

漏源極電壓(Vdss): 900V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時): 5.1A(Tc)

不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值): 1.2 歐姆 @ 2.8A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值): 3.5V @ 310μA

不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg): 28nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss): 710pF @ 100V

功率 - 最大值: 83W

安裝類型: 表面貼裝

封裝/外殼: TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63

供應(yīng)商器件封裝: PG-TO252-3


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