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IPG20N06S2L-35
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Infineon英飛凌公司完整型號:IPG20N06S2L-35

制造廠家名稱:Infineon Technologies

描述:MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4

系列:OptiMOS?

FET 類型:2 個(gè) N 溝道(雙)

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):55V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):20A

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):35 毫歐 @ 15A,10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 27μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):23nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):790pF @ 25V

功率 - 最大值:65W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:8-PowerTDFN

供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8-4(5.15x6.15)


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