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IPI076N12N3 G
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Infineon英飛凌公司完整型號:IPI076N12N3 G

制造廠家名稱:Infineon Technologies

描述:MOSFET N-CH 120V 100A TO262-3

系列:OptiMOS?

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss):120V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):100A(Tc)

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):7.6 毫歐 @ 100A,10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 130μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):101nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):6640pF @ 60V

功率 - 最大值:188W

安裝類型:通孔

封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA

供應(yīng)商器件封裝:PG-TO262-3


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