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IPI12CN10N G
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Infineon英飛凌公司完整型號:IPI12CN10N G

制造廠家名稱:Infineon Technologies

描述:MOSFET N-CH 100V 67A TO262-3

系列:OptiMOS?

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:標準

漏源極電壓 (Vdss):100V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):67A(Tc)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):12.9 毫歐 @ 67A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 83μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):65nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):4320pF @ 50V

功率 - 最大值:125W

安裝類型:通孔

封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA

供應商器件封裝:PG-TO262-3


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