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IPL60R360P6SATMA1
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Infineon英飛凌公司完整型號: IPL60R360P6SATMA1

制造廠家名稱: Infineon Technologies

功能總體簡述: MOSFET N-CH 600V 8THINPAK

系列: CoolMOS P6

FET 類型: MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能: 標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓(Vdss): 600V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時): 11.3A(Tc)

不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值): 360 毫歐 @ 4.5A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值): 4.5V @ 370μA

不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg): 22nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss): 1010pF @ 100V

功率 - 最大值: 89.3W

安裝類型: 表面貼裝

封裝/外殼: 8-PowerTDFN

供應(yīng)商器件封裝: 8-ThinPak (5x6)


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