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IPT020N10N3ATMA1
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Infineon英飛凌公司完整型號:IPT020N10N3ATMA1

制造廠家名稱:Infineon Technologies

描述:MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF

系列:OptiMOS?

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:標準

漏源極電壓 (Vdss):100V

電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):300A(Tc)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):2毫歐 @ 150A, 10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 272μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):156nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):11200pF @ 50V

功率 - 最大值:375W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:8-PowerSFN

供應商器件封裝:PG-HSOF-8-1


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