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SPB08P06P
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Infineon英飛凌公司完整型號:SPB08P06P

制造廠家名稱:Infineon Technologies

描述:MOSFET P-CH 60V 8.8A D2PAK

系列:SIPMOS

FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物

FET 功能:標準

漏源極電壓 (Vdss):60V

電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):8.8A(Ta)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):300 毫歐 @ 6.2A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):13nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):420pF @ 25V

功率 - 最大值:42W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB

供應商器件封裝:P-TO263-3


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