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SPD08P06PGBTMA1
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Infineon英飛凌公司完整型號: SPD08P06PGBTMA1

制造廠家名稱: Infineon Technologies

功能總體簡述: MOSFET P-CH 60V 8.83A 3TO252

系列: SIPMOS

FET 類型: MOSFET P 通道,金屬氧化物

FET 功能: 標準

漏源極電壓(Vdss): 60V

電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時): 8.83A(Ta)

不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值): 300 毫歐 @ 10A,6.2V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg): 13nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss): 420pF @ 25V

功率 - 最大值: 42W

安裝類型: 表面貼裝

封裝/外殼: TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63

供應商器件封裝: PG-TO252-3


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