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Infineon英飛凌公司完整型號: SPD08P06PGBTMA1

制造廠家名稱: Infineon Technologies

功能總體簡述: MOSFET P-CH 60V 8.83A 3TO252

系列: SIPMOS

FET 類型: MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET 功能: 標準

漏源極電壓（Vdss）: 60V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）: 8.83A（Ta）

不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）: 300 毫歐 @ 10A，6.2V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）: 13nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）: 420pF @ 25V

功率 - 最大值: 42W

安裝類型: 表面貼裝

封裝/外殼: TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應商器件封裝: PG-TO252-3