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TI德州儀器公司完整型號：CSD16556Q5B

制造廠家名稱：Texas Instruments

描述：MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON

系列：NexFET?

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：25V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：100A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：1.07 毫歐 @ 30A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.7V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：47nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：6180pF @ 15V

功率 - 最大值：3.2W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-PowerTDFN

供應(yīng)商器件封裝：8-VSON （5x6）