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PMDPB56XN,115
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NXP恩智浦完整型號:PMDPB56XN,115

制造廠家名稱:NXP Semiconductors

描述:MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6

系列:-

FET 類型:2 個 N 溝道(雙)

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):30V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):3.1A

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):73 毫歐 @ 3.1A, 4.5V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):2.9nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):170pF @ 15V

功率 - 最大值:510mW

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤

供應(yīng)商器件封裝:6-HUSON(2x2)


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