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PSMN102-200Y
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Nexperia公司器件型號:PSMN102-200Y,115

制造商:Nexperia USA Inc.(安世半導體)-2017年從NXP分離

功能總體描述:MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK

所屬類別:FET,MOSFET - 單-晶體管

系列:TrenchMOS??

零件狀態:在售

FET 類型:N 溝道

技術:MOSFET(金屬氧化物)

漏源極電壓(Vdss):200V

電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):21.5A(Tc)

驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值):30.7nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1568pF @ 30V

Vgs(最大值):±20V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):113W(Tc)

不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值):102 毫歐 @ 12A,10V

工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝

Nexperia公司標準封裝:LFPAK56,Power-SO8

封裝形式:SC-100,SOT-669

PSMN102-200Y的標準包裝數量(SPQ):1500 PCS


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