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PSMN4R3-80ES
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Nexperia公司器件型號:PSMN4R3-80ES,127

制造商:Nexperia USA Inc.(安世半導體)-2017年從NXP分離

功能總體描述:MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK

所屬類別:FET,MOSFET - 單-晶體管

系列:-

零件狀態:在售

FET 類型:N 溝道

技術:MOSFET(金屬氧化物)

漏源極電壓(Vdss):80V

電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):120A(Tc)

驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值):111nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):8161pF @ 40V

Vgs(最大值):±20V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):306W(Tc)

不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值):4.3 毫歐 @ 25A,10V

工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安裝類型:通孔

Nexperia公司標準封裝:I2PAK

封裝形式:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA

PSMN4R3-80ES的標準包裝數量(SPQ):- PCS


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