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5LN01C-TB-E
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ON安森美半導體完整型號:5LN01C-TB-E

制造廠家名稱:ON Semiconductor

描述:MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP

系列:-

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅(qū)動

漏源極電壓 (Vdss):50V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):100mA(Ta)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):7.8 歐姆 @ 50mA,4V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):-

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):1.57nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):6.6pF @ 10V

功率 - 最大值:250mW

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供應商器件封裝:3-CP


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