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NDD01N60-1G
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ON安森美半導體完整型號:NDD01N60-1G

制造廠家名稱:ON Semiconductor

描述:MOSFET N-CH 600V 1.5A IPAK

系列:-

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:標準

漏源極電壓 (Vdss):600V

電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):1.5A(Tc)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):8.5 歐姆 @ 200mA, 10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.7V @ 50μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):7.2nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):160pF @ 25V

功率 - 最大值:46W

安裝類型:通孔

封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA

供應商器件封裝:I-Pak


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