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NDD60N550U1-1G
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ON安森美半導(dǎo)體完整型號(hào): NDD60N550U1-1G

制造廠家名稱: ON Semiconductor

功能總體簡述: MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK-4

系列: -

FET 類型: MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能: 標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓(Vdss): 600V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)): 8.2A(Tc)

不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值): 550 毫歐 @ 4A,10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg): 18nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss): 540pF @ 50V

功率 - 最大值: 94W

安裝類型: 通孔

封裝/外殼: TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA

供應(yīng)商器件封裝: IPAK(TO-251)


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