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NDD60N900U1-1G
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ON安森美半導體完整型號: NDD60N900U1-1G

制造廠家名稱: ON Semiconductor

功能總體簡述: MOSFET N-CH 600V 5.9A IPAK-4

系列: -

FET 類型: MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能: 標準

漏源極電壓(Vdss): 600V

電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時): 5.7A(Tc)

不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值): 900 毫歐 @ 2.5A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg): 12nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss): 360pF @ 50V

功率 - 最大值: 74W

安裝類型: *

封裝/外殼: *

供應商器件封裝: *


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