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ON安森美半導(dǎo)體完整型號(hào)：NGB8207BNT4G

制造廠家名稱：ON Semiconductor

描述：IGBT 365V 20A 165W D2PAK3

系列：-

IGBT 類型：-

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：365V

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：20A

Current - Collector Pulsed (Icm)：50A

不同 Vge、Ic 時(shí)的 Vce(on)：2.6V @ 4V，20A

功率 - 最大值：165W

Switching Energy：-

輸入類型：邏輯

Gate Charge：-

25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：-

Test Condition：-

反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：-

封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB

安裝類型：表面貼裝

供應(yīng)商器件封裝：D2PAK