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NGTB30N60SWG
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ON安森美半導(dǎo)體完整型號:NGTB30N60SWG

制造廠家名稱:ON Semiconductor

描述:IGBT 600V 60A 189W TO247

系列:-

IGBT 類型:溝道和場截止

電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V

電流 - 集電極 (Ic)(最大值):60A

Current - Collector Pulsed (Icm):120A

不同 Vge、Ic 時的 Vce(on):2.2V @ 15V,30A

功率 - 最大值:189W

Switching Energy:750μJ(開), 540μJ(關(guān))

輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)

Gate Charge:90nC

25°C 時 Td(開/關(guān))值:57ns/109ns

Test Condition:400V, 30A, 10 歐姆, 15V

反向恢復(fù)時間 (trr):200ns

封裝/外殼:TO-247-3

安裝類型:通孔

供應(yīng)商器件封裝:TO-247


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