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NSBA123JDP6T5G
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ON安森美半導體完整型號:NSBA123JDP6T5G

制造廠家名稱:ON Semiconductor

描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963

系列:-

晶體管類型:2 個 PNP 預(yù)偏壓式(雙)

電流 - 集電極 (Ic)(最大值):100mA

電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V

電阻器 - 基底 (R1) (Ω):2.2k

電阻器 - 發(fā)射極基底 (R2) (Ω):47k

不同 Ic、Vce 時的 DC 電流增益 (hFE)(最小值):80 @ 5mA,10V

不同 Ib、Ic 時的 Vce 飽和值(最大值):250mV @ 300μA,10mA

電流 - 集電極截止(最大值):500nA

頻率 - 躍遷:-

功率 - 最大值:408mW

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:SOT-963

供應(yīng)商器件封裝:SOT-963


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