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ON安森美半導(dǎo)體完整型號(hào)：NTLJS1102PTBG

制造廠家名稱：ON Semiconductor

描述：MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN

系列：-

FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：8V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：3.7A（Ta）

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：36 毫歐 @ 6.2A，4.5V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：720mV @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：25nC @ 4.5V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：1585pF @ 4V

功率 - 最大值：700mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：6-WDFN 裸露焊盤

供應(yīng)商器件封裝：6-WDFN（2x2）