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ON安森美半導(dǎo)體完整型號(hào):NTLJS1102PTBG

制造廠家名稱:ON Semiconductor

描述:MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN

系列:-

FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):8V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):3.7A(Ta)

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):36 毫歐 @ 6.2A,4.5V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):720mV @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):25nC @ 4.5V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):1585pF @ 4V

功率 - 最大值:700mW

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:6-WDFN 裸露焊盤

供應(yīng)商器件封裝:6-WDFN(2x2)


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