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ON安森美半導(dǎo)體完整型號(hào)：NTMD6N04R2G

制造廠家名稱：ON Semiconductor

描述：MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8SOIC

系列：-

FET 類型：2 個(gè) N 溝道（雙）

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：40V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：4.6A

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：34 毫歐 @ 5.8A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：30nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：900pF @ 32V

功率 - 最大值：1.29W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商器件封裝：8-SOIC N