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NVGS5120PT1G
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ON安森美半導(dǎo)體完整型號: NVGS5120PT1G

制造廠家名稱: ON Semiconductor

功能總體簡述: MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP

系列: -

FET 類型: MOSFET P 通道,金屬氧化物

FET 功能: 標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓(Vdss): 60V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時): 1.8A(Ta)

不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值): 111 毫歐 @ 2.9A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值): 3V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg): 18.1nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss): 942pF @ 30V

功率 - 最大值: 600mW

安裝類型: *

封裝/外殼: *

供應(yīng)商器件封裝: *


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