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NVJD5121NT1G
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ON安森美半導(dǎo)體完整型號: NVJD5121NT1G

制造廠家名稱: ON Semiconductor

功能總體簡述: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88

系列: -

FET 類型: 2 個 N 溝道(雙)

FET 功能: 標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓(Vdss): 60V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時): 295mA

不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值): 1.6 歐姆 @ 500mA,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg): 0.9nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss): 26pF @ 20V

功率 - 最大值: 250mW

安裝類型: *

封裝/外殼: *

供應(yīng)商器件封裝: *


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