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NVMFD5853NLWFT1G
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ON安森美半導(dǎo)體完整型號:NVMFD5853NLWFT1G

制造廠家名稱:ON Semiconductor

描述:MOSFET 2N-CH 40V 12A SO8FL

系列:-

FET 類型:2 個 N 溝道(雙)

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):40V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):12A

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):10 毫歐 @ 15A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):23nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1100pF @ 25V

功率 - 最大值:3W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:8-PowerTDFN

供應(yīng)商器件封裝:8-DFN(5x6) Dual Flag(SO8FL-Dual-Asymmetrical)


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