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ROHM羅姆半導(dǎo)體完整型號(hào): BSM120D12P2C005

制造廠家名稱: Rohm Semiconductor

功能總體簡(jiǎn)述: MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE

系列: -

FET 類型: 2 個(gè) N 通道（半橋）

FET 功能: 碳化硅 （SiC）

漏源極電壓（Vdss）: 1200V（1.2kV）

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）: 120A

不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）: -

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）: 2.7V @ 22mA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）: -

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）: 14000pF @ 10V

功率 - 最大值: 780W

安裝類型: *

封裝/外殼: 模塊

供應(yīng)商器件封裝: 模塊